
TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12000+ | 19.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TSM2323CX RFG за ціною від 17.02 грн до 155.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
на замовлення 46552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TSM2323CX RFG Код товару: 186937
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
TSM2323CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |