TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM2323_F15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.33 грн
6000+18.99 грн
9000+18.21 грн
15000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TSM2323CX RFG за ціною від 20.58 грн до 94.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2323_f15.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2323_f15.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001064431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.75 грн
500+50.24 грн
1500+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2323_F15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.63 грн
7+60.79 грн
33+28.97 грн
89+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2323_F15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.06 грн
10+50.95 грн
100+33.51 грн
500+24.41 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001064431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.59 грн
50+59.31 грн
100+56.75 грн
500+50.24 грн
1500+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2323_F15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.35 грн
5+75.75 грн
33+34.76 грн
89+32.86 грн
250+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2323_F15.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2323_e10.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG
Код товару: 186937
Додати до обраних Обраний товар

TSM2323_F15.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2323_f15.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2323_F15.pdf MOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.