TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.34 грн |
| 6000+ | 7.76 грн |
| 9000+ | 6.18 грн |
| 15000+ | 5.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM250N02CX RFG за ціною від 6.35 грн до 32.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM250N02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V |
на замовлення 97530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 22334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TSM250N02CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cxкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| TSM250N02CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 97530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.62 грн |
| 14+ | 22.66 грн |
| 100+ | 15.17 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 9.39 грн |
| TSM250N02CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 22334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.94 грн |
| 15+ | 21.59 грн |
| 100+ | 12.77 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |
| 3000+ | 7.73 грн |
| 9000+ | 6.35 грн |
| TSM250N02CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.54 грн |


