TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.01 грн |
| 6000+ | 7.4 грн |
| 9000+ | 6.66 грн |
| 30000+ | 6.15 грн |
| 75000+ | 5.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM250N02CX RFG за ціною від 5.7 грн до 43.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V |
на замовлення 235453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 27602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM250N02CX RFG | Виробник : TAI-SEM |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM250N02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM250N02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |