
TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1528+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM250N02CX RFG за ціною від 5.68 грн до 45.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V |
на замовлення 44861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TSM250N02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |