Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250N02DCQ RFG
TSM250N02DCQ RFG

TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250N02DCQ_C2212.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.83 грн
6000+12.23 грн
9000+11.30 грн
15000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 620mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM250N02DCQ RFG за ціною від 11.82 грн до 63.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ_C2212.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.63 грн
10+34.66 грн
100+22.46 грн
500+16.12 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ_C2212.pdf MOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.41 грн
10+38.61 грн
100+21.76 грн
500+16.71 грн
1000+14.91 грн
3000+12.87 грн
6000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02d_b15.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.