Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250N02DCQ RFG
TSM250N02DCQ RFG

TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250N02DCQ_C2212.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.97 грн
6000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 620mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM250N02DCQ RFG за ціною від 12.48 грн до 61.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ_C2212.pdf MOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 12851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.06 грн
10+37.90 грн
100+23.41 грн
500+19.38 грн
1000+14.97 грн
3000+13.28 грн
6000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ_C2212.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.13 грн
10+36.62 грн
100+23.69 грн
500+18.51 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02d_b15.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250n02dcq_c2212.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.