Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250NB06DCR RLG
TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR_A1908.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.02 грн
5000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM250NB06DCR RLG за ціною від 30.39 грн до 105.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.87 грн
10+76.40 грн
100+51.27 грн
500+38.01 грн
1000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR_A1908.pdf MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.74 грн
10+83.65 грн
100+48.90 грн
500+39.22 грн
1000+35.87 грн
2500+31.15 грн
5000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.