Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250NB06DCR RLG
TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR_A1908.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.14 грн
5000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM250NB06DCR RLG за ціною від 36.34 грн до 130.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR_A1908.pdf MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.59 грн
5000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
10+79.85 грн
100+53.60 грн
500+39.73 грн
1000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM250NB06DCR_A1908.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7A; 9.6W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 9.6W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.