Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM250NB06LDCR RLG
TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06LDCR_A2001.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM250NB06LDCR RLG за ціною від 32.44 грн до 96.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR_A2001.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+70.04 грн
100+53.60 грн
500+40.06 грн
1000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM250NB06LDCR_A2001.pdf MOSFETs 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.99 грн
10+78.09 грн
100+52.90 грн
500+44.80 грн
1000+36.49 грн
2500+34.36 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06ldcr_a2001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm250nb06ldcr_a2001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.