Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM260P02CX RFG
TSM260P02CX RFG

TSM260P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM260P02CX_A2312.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.03 грн
6000+12.02 грн
9000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM260P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM260P02CX RFG за ціною від 11.92 грн до 55.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM260P02CX RFG TSM260P02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX_A2312.pdf Description: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 10892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+34.33 грн
100+22.84 грн
500+16.38 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFG TSM260P02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM260P02CX_A2312.pdf MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.45 грн
10+39.51 грн
100+22.66 грн
500+17.29 грн
1000+15.30 грн
3000+12.43 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFG TSM260P02CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFG TSM260P02CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM260P02CX_A2312.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.