Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM260P02CX6 RFG
TSM260P02CX6 RFG

TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM260P02CX6_A2312.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.40 грн
6000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM260P02CX6 RFG за ціною від 15.10 грн до 59.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM260P02CX6_A2312.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -6.5A; 1.56W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT26
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor tsm260p02_d1811.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6_A2312.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 10596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.82 грн
100+23.25 грн
500+16.74 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor TSM260P02CX6_A2312.pdf MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6_A2312.pdf
TSM260P02CX6 RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -6.5A; 1.56W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT26
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG tsm260p02_d1811.pdf
TSM260P02CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6_A2312.pdf
TSM260P02CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 10596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.80 грн
10+35.82 грн
100+23.25 грн
500+16.74 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFG TSM260P02CX6_A2312.pdf
TSM260P02CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.