Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM280NB06LCR RLG
TSM280NB06LCR RLG

TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM280NB06LCR_B1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+44.37 грн
100+30.61 грн
500+23.95 грн
1000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM280NB06LCR RLG за ціною від 16.99 грн до 57.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM280NB06LCR RLG TSM280NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM280NB06LCR_B1804.pdf MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.51 грн
10+46.62 грн
100+27.96 грн
500+22.22 грн
1000+20.38 грн
2500+18.24 грн
5000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCR RLG TSM280NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 22tsm280nb06lcr_a1712.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCR RLG TSM280NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 22tsm280nb06lcr_a1712.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCR RLG TSM280NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM280NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.