Технічний опис TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerLDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TSM280NB06LCR RLG за ціною від 23.72 грн до 82.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TSM280NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 7491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM280NB06LCR RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.69 грн |
| TSM280NB06LCR RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.73 грн |
| 10+ | 49.74 грн |
| 100+ | 32.63 грн |
| 500+ | 23.72 грн |
| TSM280NB06LCR RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)