
TSM2N60ECH C5G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
254+ | 2.38 грн |
452+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2N60ECH C5G Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM2N60ECH C5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM2N60ECH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
TSM2N60ECH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM2N60ECH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM2N60ECH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |