Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2N60ECP ROG
TSM2N60ECP ROG

TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor

tsm2n60e_b1901.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+10.56 грн
56+ 10.4 грн
57+ 10.25 грн
58+ 9.73 грн
100+ 8.86 грн
250+ 8.37 грн
500+ 8.24 грн
1000+ 8.1 грн
3000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 55
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM2N60ECP ROG за ціною від 8.58 грн до 10.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM2N60ECP ROG TSM2N60ECP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n60e_b1901.pdf N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1075+10.86 грн
1092+ 10.69 грн
1110+ 10.52 грн
1128+ 9.98 грн
1147+ 9.09 грн
3000+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 1075
TSM2N60ECP ROG TSM2N60ECP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n60e_b1901.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM2N60ECP ROG TSM2N60ECP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM2N60ECP ROG TSM2N60ECP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM2N60ECP ROG TSM2N60ECP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2N60E_B1901-1918776.pdf MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній