на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1167+ | 10.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM2N60ECP ROG за ціною від 8.33 грн до 11.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM2N60ECP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
TSM2N60ECP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
TSM2N60ECP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
TSM2N60ECP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
TSM2N60ECP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |