TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.05 грн |
10+ | 102.88 грн |
100+ | 72.1 грн |
500+ | 67.43 грн |
1000+ | 59.22 грн |
2500+ | 55.08 грн |
5000+ | 53.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM2N60SCW RPG за ціною від 21.4 грн до 21.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSM2N60SCW RPG | Виробник : TAI-SEM |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A T/R TSM2N60SCW RPG TTSM2n60scw кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
TSM2N60SCW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||
TSM2N60SCW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
TSM2N60SCW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V |
товар відсутній |