Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2N60SCW RPG
TSM2N60SCW RPG

TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor

TSM2N60S_C15-1918797.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 600V, 0.6A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.58 грн
10+113.10 грн
100+79.26 грн
500+74.12 грн
1000+65.10 грн
2500+60.55 грн
5000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM2N60SCW RPG за ціною від 22.26 грн до 22.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2N60SCW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2N60S_C15.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A T/R TSM2N60SCW RPG TTSM2n60scw
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N60SCW RPG TSM2N60SCW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n60s_c15.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N60SCW RPG TSM2N60SCW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60S_C15.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N60SCW RPG TSM2N60SCW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60S_C15.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.