TSM2N7002AKCX RFG

TSM2N7002AKCX RFG Taiwan Semiconductor


tsm2n7002akcx_a2111.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9375+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 9375
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2N7002AKCX RFG Taiwan Semiconductor

Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 357mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM2N7002AKCX RFG за ціною від 1.34 грн до 15.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n7002akcx_a2111.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.68 грн
6000+1.55 грн
9000+1.46 грн
15000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.01 грн
38+8.41 грн
100+5.20 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKCX_A2111.pdf MOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.28 грн
38+9.37 грн
100+5.03 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
3000+2.13 грн
9000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n7002akcx_a2111.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.