Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2N7002KCX RFG
TSM2N7002KCX RFG

TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor

Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.92 грн
13+ 24.76 грн
100+ 14.64 грн
1000+ 8.55 грн
3000+ 7.22 грн
9000+ 6.76 грн
24000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM2N7002KCX RFG за ціною від 4.23 грн до 4.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM2N7002KCX RFG Виробник : TAI-SEM Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 200
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n7002k_h1807.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n7002k_i2010.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2n7002k_i2010.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 910pC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM2N7002KCX RFG TSM2N7002KCX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 910pC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній