TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.07 грн |
| 75+ | 28.96 грн |
| 150+ | 26.14 грн |
| 525+ | 20.69 грн |
| 1050+ | 19.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM2NB60CH C5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM2NB60CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TSM2NB60CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |