Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2NB60CP ROG
TSM2NB60CP ROG

TSM2NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2NB60CP_A2208.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM2NB60CP ROG за ціною від 22.31 грн до 77.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2NB60CP ROG TSM2NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CP_A2208.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.19 грн
10+49.66 грн
100+34.39 грн
500+25.81 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2NB60CP_A2208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TSM2NB60CP ROG TTSM2nb60cp
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROG TSM2NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor 4889150672855573tsm2nb60_h1706.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROG TSM2NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor 4889150672855573tsm2nb60_h1706.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CP ROG TSM2NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2N70_B11-248904-1206713.pdf MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.