Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM300NB06CR RLG
TSM300NB06CR RLG

TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR_B1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.61 грн
10+ 92.05 грн
100+ 71.77 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM300NB06CR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM300NB06CR RLG TSM300NB06CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm300nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 27A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM300NB06CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM300NB06CR_B1804.pdf TSM300NB06CR-RLG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM300NB06CR RLG TSM300NB06CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V
товар відсутній
TSM300NB06CR RLG TSM300NB06CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM300NB06CR_B1804-1480654.pdf MOSFET 60V 27A 30mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товар відсутній