Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM300NB06LDCR RLG
TSM300NB06LDCR RLG

TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.84 грн
5000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM300NB06LDCR RLG за ціною від 29.60 грн до 74.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM300NB06LDCR RLG TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+58.73 грн
100+45.68 грн
500+36.34 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG
TSM300NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+58.73 грн
100+45.68 грн
500+36.34 грн
1000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG
TSM300NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.