Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM320N03CX RFG
TSM320N03CX RFG

TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM320N03CX_C1811.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.08 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM320N03CX RFG за ціною від 13.10 грн до 50.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM320N03CX-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM320N03CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+20.97 грн
100+17.30 грн
500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM320N03CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tape
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
14+31.03 грн
25+23.40 грн
100+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor TSM320N03CX_C1811.pdf MOSFETs 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 14331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX-DTE.pdf
TSM320N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX_C1811.pdf
TSM320N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+20.97 грн
100+17.30 грн
500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX_C1811.pdf
TSM320N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tape
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
14+31.03 грн
25+23.40 грн
100+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX_C1811.pdf
TSM320N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 14331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.