TSM320N03CX Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 7.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM320N03CX Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Description: 30V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM320N03CX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM320N03CX | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
TSM320N03CX | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 30V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |