TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.44 грн |
| 5000+ | 17.49 грн |
| 7500+ | 16.97 грн |
| 12500+ | 15.48 грн |
| 17500+ | 15.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM340N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM340N06CP ROG за ціною від 14.70 грн до 55.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM340N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V |
на замовлення 18255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM340N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 5811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM340N06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 60V; 30A; 40W; DPAK,TO252; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 40W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.6nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
TSM340N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |