TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM3446_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.20 грн
6000+23.49 грн
15000+22.62 грн
30000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-26, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM3446CX6 RFG за ціною від 26.13 грн до 67.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM3446CX6 RFG TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446_E15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+57.46 грн
100+44.03 грн
500+32.66 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFG TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor TSM3446_E15-1918914.pdf MOSFET 20V, 5.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFG TSM3446_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
10+57.46 грн
100+44.03 грн
500+32.66 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFG TSM3446_E15-1918914.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 20V, 5.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.