TSM3446CX6 RFG

TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM3446_E15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.24 грн
6000+ 21.73 грн
15000+ 20.92 грн
30000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TSM3446CX6 RFG за ціною від 24.17 грн до 66.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM3446CX6 RFG TSM3446CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446_E15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.36 грн
10+ 53.14 грн
100+ 40.72 грн
500+ 30.21 грн
1000+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM3446CX6 RFG TSM3446CX6 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM3446_E15-1918914.pdf MOSFET 20V, 5.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.87 грн
10+ 57.83 грн
100+ 38.56 грн
500+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5