Технічний опис TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Power dissipation: 32W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 19nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM3N80CI C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TSM3N80CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.83A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
TSM3N80CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB |
товар відсутній |
||
TSM3N80CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET |
товар відсутній |
||
TSM3N80CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.83A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |