TSM3N80CI C0G

TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor


5203729851206532tsm3n80_f1706.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Gate charge: 19nC, Power dissipation: 32W, On-state resistance: 4.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції TSM3N80CI C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM3N80CI C0G TSM3N80CI C0G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80_F1706.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3N80CI C0G TSM3N80CI C0G Виробник : Taiwan Semiconductor TSM3N80_F1706-1918916.pdf MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3N80CI C0G TSM3N80CI C0G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3N80_F1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.83A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 32W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.