TSM3N80CZ C0G

TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation


TSM3N80_F1706.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; TO220-3, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Gate charge: 19nC, Power dissipation: 94W, On-state resistance: 4.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO220-3, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції TSM3N80CZ C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM3N80CZ C0G TSM3N80CZ C0G Виробник : Taiwan Semiconductor TSM3N80_F1706-1918916.pdf MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3N80CZ C0G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3N80_F1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.83A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 94W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.