TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM4806CS RLG за ціною від 12.90 грн до 38.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM4806CS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Mounting: SMD Case: SOP8 Power dissipation: 2W Gate charge: 12.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: tape On-state resistance: 20mΩ |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM4806CS RLG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Power dissipation: 2W
Gate charge: 12.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: tape
On-state resistance: 20mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Power dissipation: 2W
Gate charge: 12.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: tape
On-state resistance: 20mΩ
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.80 грн |
| 17+ | 25.18 грн |
| 100+ | 19.69 грн |
| TSM4806CS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.06 грн |
| 10+ | 31.11 грн |
| 100+ | 21.65 грн |
| 500+ | 15.86 грн |
| 1000+ | 12.90 грн |
| TSM4806CS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)