TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.60 грн |
| 12+ | 27.78 грн |
| 100+ | 20.25 грн |
| 500+ | 17.60 грн |
| 1000+ | 16.48 грн |
| 2500+ | 15.71 грн |
| 5000+ | 14.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TSM4806CS RLG за ціною від 13.04 грн до 38.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|