TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4806CS RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM4806CS RLG за ціною від 13.65 грн до 40.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 28A; 2W; SOP8 Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 28A Gate charge: 12.3nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 2W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TSM4806CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 961 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |