TSM480P06CP ROG

TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.36 грн
5000+ 17.66 грн
12500+ 16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM480P06CP ROG за ціною від 18.05 грн до 55.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM480P06CP ROG TSM480P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
на замовлення 16377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.15 грн
10+ 42.52 грн
100+ 29.43 грн
500+ 23.08 грн
1000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM480P06CP ROG TSM480P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor MOSFET -60V, -20A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.63 грн
10+ 47.33 грн
100+ 28.5 грн
250+ 28.44 грн
500+ 23.77 грн
1000+ 20.24 грн
2500+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM480P06CP ROG Виробник : TAI-SEM Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; TSM480P06CP ROG TSM480P06CP TTSM480p06cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
TSM480P06CP ROG TSM480P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm480p06_b14.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM480P06CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 40W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM480P06CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 40W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній