Технічний опис TSM4925DCS RLG Taiwan Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7.1A; 1.3W; SOP8, Case: SOP8, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7.1A, On-state resistance: 25mΩ, Type of transistor: P-MOSFET x2, Power dissipation: 1.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tape, Gate charge: 70nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD.
Інші пропозиції TSM4925DCS RLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM4925DCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM4925DCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM4925DCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM4925DCS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7.1A; 1.3W; SOP8 Case: SOP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.1A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |