Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM4N60ECP ROG

TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Name: TSM4N60ECP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 7360394-3
Price: 345.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V.

Інші пропозиції TSM4N60ECP ROG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	TSM4N60ECP ROG	Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	TSM4N60ECP ROG	Виробник : Taiwan Semiconductor	MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.