
TSM4NB65CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 25 V
на замовлення 10528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.65 грн |
75+ | 56.94 грн |
150+ | 45.12 грн |
525+ | 35.89 грн |
1050+ | 29.24 грн |
2025+ | 27.52 грн |
5025+ | 25.78 грн |
10050+ | 24.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM4NB65CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.37Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM4NB65CH C5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM4NB65CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM4NB65CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |