TSM500N15CS RLG

TSM500N15CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM500N15CS_A2112.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1123 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 12.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM500N15CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1123 pF @ 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 12.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V.

Інші пропозиції TSM500N15CS RLG за ціною від 25.88 грн до 104.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM500N15CS RLG TSM500N15CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N15CS_A2112.pdf Description: 150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1123 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 12.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+68.95 грн
100+37.88 грн
500+34.11 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500N15CS RLG TSM500N15CS RLG Taiwan Semiconductor TSM500N15CS_A2112.pdf MOSFETs 150V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.20 грн
10+74.40 грн
100+34.60 грн
500+33.90 грн
1000+30.94 грн
2500+27.71 грн
5000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500N15CS RLG TSM500N15CS_A2112.pdf
TSM500N15CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1123 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 12.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.06 грн
10+68.95 грн
100+37.88 грн
500+34.11 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500N15CS RLG TSM500N15CS_A2112.pdf
TSM500N15CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 150V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.20 грн
10+74.40 грн
100+34.60 грн
500+33.90 грн
1000+30.94 грн
2500+27.71 грн
5000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.