TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.33 грн |
| 6000+ | 7.33 грн |
| 9000+ | 6.97 грн |
| 15000+ | 6.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM500P02CX RFG за ціною від 6.95 грн до 29.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM500P02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 434 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM500P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 10220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM500P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
на замовлення 119913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM500P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM500P02CX RFG TSM500P02CX TTSM500p02cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|