Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM500P02DCQ RFG
TSM500P02DCQ RFG

TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500P02D_B15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.65 грн
6000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 620mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM500P02DCQ RFG за ціною від 15.58 грн до 61.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM500P02DCQ RFG TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02D_B15.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 73288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.87 грн
100+23.94 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500P02DCQ RFG TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor TSM500P02D_B15.pdf MOSFETs -20V, -4.7A, Dual P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500P02DCQ RFG TSM500P02D_B15.pdf
TSM500P02DCQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 73288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.35 грн
10+36.87 грн
100+23.94 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM500P02DCQ RFG TSM500P02D_B15.pdf
TSM500P02DCQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -20V, -4.7A, Dual P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.