Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM5055DCR RLG
TSM5055DCR RLG

TSM5055DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5055DCR_B1703.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 107A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.35 грн
5000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM5055DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 30V 107A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM5055DCR RLG за ціною від 38.74 грн до 97.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM5055DCR RLG TSM5055DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM5055DCR_B1703.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 107A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+76.86 грн
100+59.78 грн
500+47.55 грн
1000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM5055DCR RLG TSM5055DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM5055DCR_B1703.pdf MOSFETs 30V, 107A, Dual N-Channel Power MOSFET;30V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.