Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM5055DCR RLG
TSM5055DCR RLG

TSM5055DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5055DCR_B1703.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM5055DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8PDFN, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM5055DCR RLG за ціною від 39.34 грн до 139.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM5055DCR RLG TSM5055DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM5055DCR_B1703.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.24 грн
10+85.63 грн
100+57.73 грн
500+42.95 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM5055DCR RLG TSM5055DCR_B1703.pdf
TSM5055DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.24 грн
10+85.63 грн
100+57.73 грн
500+42.95 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.