TSM600NA25CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 250V 22A SINGLE N-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3086 pF @ 125 V
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.55 грн |
| 10+ | 266.57 грн |
| 100+ | 213.43 грн |
| 500+ | 173.86 грн |
| 1000+ | 140.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM600NA25CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 250V 22A SINGLE N-CHAN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220TL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3086 pF @ 125 V.
Інші пропозиції TSM600NA25CIT C0G за ціною від 158.15 грн до 417.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM600NA25CIT C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|