Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM600P03CS RLG
TSM600P03CS RLG

TSM600P03CS RLG Taiwan Semiconductor

29634309745339tsm600p03cs_b1612.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+5.58 грн
150+4.66 грн
152+4.61 грн
153+4.40 грн
204+3.07 грн
250+2.91 грн
500+2.26 грн
1000+1.66 грн
3000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM600P03CS RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM600P03CS RLG за ціною від 9.52 грн до 48.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM600P03CS RLG TSM600P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS_B1612.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.02 грн
13+25.23 грн
100+21.37 грн
500+15.49 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLG TSM600P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM600P03CS_B1612.pdf MOSFETs -30V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.96 грн
12+30.31 грн
100+22.09 грн
500+17.29 грн
1000+13.48 грн
2500+10.51 грн
10000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLG TSM600P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 29634309745339tsm600p03cs_b1612.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM600P03CS RLG TSM600P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS_B1612.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.