Технічний опис TSM60N900CH C5G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4.5A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 9.7nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60N900CH C5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60N900CH C5G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
TSM60N900CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251 |
товар відсутній |
|
| TSM60N900CH C5G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |