TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4.5A, Power dissipation: 20W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 9.7nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60N900CI C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM60N900CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Transistor MOSFET N Channel |
товар відсутній |
|
 |
TSM60N900CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TSM60N900CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |