
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 667.75 грн |
10+ | 564.30 грн |
25+ | 445.09 грн |
100+ | 409.04 грн |
250+ | 384.76 грн |
600+ | 360.48 грн |
1200+ | 324.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 329W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TSM60NB099PW C1G за ціною від 409.35 грн до 704.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60NB099PW C1G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TSM60NB099PW C1G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |