TSM60NB150CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NB150CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 62.5W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Power dissipation: 62.5W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.15Ω, Mounting: THT, Gate charge: 43nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM60NB150CF C0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TSM60NB150CF C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 62.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 62.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
TSM60NB150CF C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 24A |
товар відсутній |
||
TSM60NB150CF C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 62.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 62.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |