Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM60NB380CP ROG
TSM60NB380CP ROG

TSM60NB380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR

pdf.php?pn=TSM60NB380CP Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.12 грн
5+118.02 грн
10+94.26 грн
27+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60NB380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TSM60NB380CP ROG за ціною від 112.07 грн до 176.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM60NB380CP ROG TSM60NB380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NB380CP Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
10+140.78 грн
100+112.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB380CP ROG TSM60NB380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm60nb380cp_a1608.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB380CP ROG TSM60NB380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NB380CP Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB380CP ROG TSM60NB380CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=TSM60NB380CP MOSFET 600V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.