
TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.30 грн |
75+ | 44.01 грн |
150+ | 34.87 грн |
525+ | 27.74 грн |
1050+ | 27.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM60NC1R5CH C5G за ціною від 30.24 грн до 90.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60NC1R5CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|