
TSM60NC1R5CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 33.41 грн |
5000+ | 30.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NC1R5CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM60NC1R5CP ROG за ціною від 32.07 грн до 236.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60NC1R5CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V |
на замовлення 10355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM60NC1R5CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM60NC1R5CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |