
TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.78 грн |
10+ | 125.21 грн |
100+ | 86.81 грн |
250+ | 80.19 грн |
500+ | 72.54 грн |
1000+ | 65.62 грн |
2000+ | 57.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor
Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: ITO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TSM60NC620CI C0G за ціною від 54.12 грн до 195.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM60NC620CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 300 V |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|