TSM60NE048PW C0G

TSM60NE048PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.22 грн
10+802.39 грн
300+672.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60NE048PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TSM60NE048PW C0G за ціною від 637.63 грн до 1078.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM60NE048PW C0G TSM60NE048PW C0G Виробник : Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.70 грн
10+936.22 грн
25+792.62 грн
50+748.12 грн
100+704.38 грн
300+682.13 грн
600+637.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.