TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 291.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TSM60NE069PW C0G за ціною від 280.96 грн до 864.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TSM60NE069PW C0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 312.82 грн |
| 10+ | 304.91 грн |
| 100+ | 301.34 грн |
| 300+ | 280.96 грн |
| TSM60NE069PW C0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 751.60 грн |
| 10+ | 620.46 грн |
| TSM60NE069PW C0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 864.77 грн |
| 10+ | 592.00 грн |
| 100+ | 382.57 грн |