TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 756.02 грн |
| 10+ | 624.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TSM60NE069PW C0G за ціною від 496.59 грн до 862.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM60NE069PW C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TSM60NE069PW C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |