TSM60NE110TL RAG

TSM60NE110TL RAG Taiwan Semiconductor Corporation


pdf.php?pn=TSM60NE110TL Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+175.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM60NE110TL RAG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TSM60NE110TL RAG за ціною від 207.06 грн до 435.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM60NE110TL RAG TSM60NE110TL RAG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE110TL Description: 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 12V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.03 грн
10+282.54 грн
100+207.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.