TSM60NE180CIT C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.47 грн |
| 10+ | 222.48 грн |
| 25+ | 185.84 грн |
| 100+ | 172.13 грн |
| 250+ | 168.32 грн |
| 2000+ | 142.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM60NE180CIT C0G Taiwan Semiconductor
Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA, Supplier Device Package: ITO-220TL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TSM60NE180CIT C0G за ціною від 152.93 грн до 286.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM60NE180CIT C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGHPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|