Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM6502CR RLG
TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6502CR_A1701.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.31 грн
5000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 40W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6).

Інші пропозиції TSM6502CR RLG за ціною від 27.44 грн до 119.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM6502CR_A1701.pdf MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.28 грн
10+76.90 грн
100+58.78 грн
500+41.05 грн
1000+32.96 грн
2500+30.31 грн
5000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR_A1701.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
на замовлення 7038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+72.65 грн
100+49.53 грн
500+38.46 грн
1000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173220635012840tsm6502cr_a1701.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.4A/4A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.