Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM6502CR RLG
TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=TSM6502CR (N) Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.6 грн
5000+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 40W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6).

Інші пропозиції TSM6502CR RLG за ціною від 24.44 грн до 72.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM6502CR (N) Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.27 грн
10+ 52.58 грн
100+ 40.89 грн
500+ 32.53 грн
1000+ 26.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=TSM6502CR (N) MOSFET 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.25 грн
10+ 58.51 грн
100+ 39.49 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 27.3 грн
2500+ 25.64 грн
5000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173220635012840tsm6502cr_a1701.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.4A/4A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній