TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM6502CR_A1701.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.89 грн
5000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 40W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM6502CR RLG за ціною від 25.98 грн до 117.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM6502CR_A1701.pdf MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.31 грн
10+73.88 грн
100+42.66 грн
500+33.52 грн
1000+30.51 грн
2500+27.79 грн
5000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6502CR RLG TSM6502CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR_A1701.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 7038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.83 грн
10+71.71 грн
100+48.89 грн
500+37.97 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.