TSM650P02CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM650P02CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM650P02CX RFG за ціною від 5.38 грн до 28.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM650P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM650P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V |
на замовлення 70024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM650P02CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 15113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM650P02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM650P02CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |