TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.37 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 7.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM650P03CX RFG за ціною від 7.84 грн до 45.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM650P03CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.6A Gate charge: 8nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23 |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM650P03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM650P03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V |
на замовлення 16624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM650P03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
TSM650P03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TSM650P03CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |