Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM650P03CX RFG
TSM650P03CX RFG

TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P03CX_B1811.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.01 грн
6000+7.98 грн
9000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM650P03CX RFG за ціною від 6.88 грн до 46.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM650P03CX RFG TSM650P03CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX_B1811.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V
на замовлення 16624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.56 грн
12+26.16 грн
100+16.69 грн
500+11.82 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650P03CX RFG TSM650P03CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM650P03CX_B1811.pdf MOSFETs -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 10606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.30 грн
12+28.12 грн
100+15.81 грн
1000+11.86 грн
3000+8.27 грн
9000+7.10 грн
24000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650P03CX RFG TSM650P03CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm650p03cx_b1811.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.