Технічний опис TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 2A, Power dissipation: 38W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 7.7nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TSM70N1R4CP ROG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "TSM70N1R4CP ROG") |
TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM70N1R4CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM70N1R4CP ROG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM70N1R4CP ROG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM70N1R4CP ROG |
|
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.